原生TLC模式的S650系列比其他卡的耐久性高1.6倍；
pSLC模式的S750系列可实现2倍多的耐久性

台湾台北, July 14 (Bernama-GLOBE NEWSWIRE) -- 特种存储和内存解决方案领域的全球领先企业ATP Electronics推出新的3D三层单元（TLC）S750/S650系列SD和microSD内存卡，它们专为最苛刻的不间断视频录制要求而打造。这些内存卡能满足行车记录仪、数字视频录像机（DVR）、监控系统、自动驾驶汽车和其他密集写入应用的高耐久性、低延迟和持久数据存储的需求。

高耐久性（超过10.9万小时¹的录制时间），采用原生TLC模式
视频证据在许多场景中都被证明极为重要；因此，SD/microSD卡要能不间断录制，并且不能影响图像的质量和完整性，这是非常重要的。S650系列可以连续录制长达109401小时的全高清视频，远长于被宣称为“高耐久性”的同类卡。S650系列基于5K编程/擦除（P/E）周期，意味着比起典型3K P/E周期的内存卡，其耐久性高1.6倍。配置为伪单层单元（pSLC）的S750系列基于60K P/E周期，而典型pSLC内存卡额定为约20K至30K P/E周期。

下图²显示了ATP S650 128 GB microSD卡在全高清模式下与其他品牌相同容量高耐久性卡相比之下的耐久性模拟结果。

高耐久性最大录制时数：ATP S650对比其他高耐久性卡
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注释：
¹ 在无其他影响因素的最佳/理想情况下，使用128 GB ATP S650 TLC卡，基于13 Mbps（高清录制的最低比特率）进行的测试。
² 由ATP从公开数据中获得的信息。

• 为了录制新数据，旧数据将在卡满时被覆盖。
• 1Mbps=100万bps

• 自动读校准（ARC）。随着时间的推移和持续的使用，NAND闪存单元将退化，导致电压漂移，从而增加误码率（BER）。当正常的读取重试功能不足以修复错误时，更精确的“自动读取校准”（ARC）功能就被用来在极端温度或NAND单元退化的条件下确保数据完整性。
• ATP的高级卡分析方法。 ATP内存卡通过IP67/IP57认证，使用系统级封装（SiP）晶圆/裸片工艺制造，与表面贴装技术（SMT）工艺相比，很难进行组件分析。ATP独特设计的基板和调试工具使这项任务“成为可能”。
  1. ATP开发的硬件设计——基板拥有预留测试引脚，可用于以后的组件分析。
  2. 通过激光除去焊料掩模——除去焊料掩模精确有效的方法，可以触达基板上的预留测试引脚。
  3. ATP自有的定制调试工具——连接到硬件预留测试引脚，然后链接到软件分析系统。