Isnin 24/08/2026

Toshiba: TCKE1401NM, fius elektronik (IC eFuse) berkadar 80V yang padat untuk perlindungan talian kuasa 48V dalam peralatan perindustrian.
– Fungsi perlindungan membantu meningkatkan keselamatan litar; pakej kecil peneraju industri[1] membantu menjimatkan ruang pada papan litar –
KAWASAKI, Jepun, 24 Ogos (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah menambah “ TCKE1401NM,” fius elektronik (IC eFuse) berkadar 80V, kepada barisan IC eFuse syarikat yang dilengkapi pelbagai fungsi perlindungan talian kuasa terbina dalam. Penghantaran bermula hari ini.
Produk baharu ini menggunakan pakej VQFN24D, pakej kecil peneraju industri[1] bagi IC eFuse berkadar 80V, yang menyumbang kepada peningkatan keselamatan dalam litar perlindungan talian kuasa dan pengurangan saiz PCB untuk peralatan perindustrian.
Didorong oleh permintaan terhadap kuasa output yang lebih tinggi dan kecekapan yang dipertingkat, penggunaan sistem kuasa 48V semakin meluas dalam pelayan, peralatan rangkaian, peralatan automasi kilang, robot dan peralatan perindustrian lain. Peralihan ini memerlukan litar perlindungan talian kuasa yang menawarkan toleransi voltan tinggi serta pelbagai fungsi perlindungan.
IC eFuse ialah fius semikonduktor yang melindungi litar hiliran daripada arus tidak normal, voltan tidak normal dan keadaan kerosakan lain. Selain perlindungan litar pintas yang disediakan oleh fius fizikal konvensional[2], ia menyepadukan pelbagai fungsi perlindungan—termasuk perlindungan arus lampau, perlindungan voltan lampau, penyekatan arus songsang, perlindungan kekutuban terbalik input dan pematian terma—ke dalam satu cip, sekali gus membolehkan litar perlindungan talian kuasa yang lebih berfungsi dan padat.
TCKE1401NM mempunyai kadar 80V dan menyokong julat voltan operasi yang luas, daripada 4.7V hingga 75V. Toleransi voltan tingginya membolehkan ia digunakan untuk perlindungan talian kuasa dalam sistem 24V, 48V dan 54V. Selain itu, rintangan hidupON ) yang rendah, iaitu 44.5mΩ (tip.), membantu meningkatkan kecekapan peralatan dengan mengurangkan kehilangan kuasa semasa operasi. Penggunaan pakej VQFN24D bersaiz 4.0×4.0mm (tip.) turut menyumbang kepada pengurangan saiz PCB.
Fungsi perlindungan utama IC eFuse ini termasuk pengehadan arus yang mengawal arus output apabila berlaku arus lampau, serta pematian output yang mematikan output sekiranya berlaku voltan lampau. Ambang operasi bagi kedua-dua fungsi boleh ditetapkan menggunakan perintang luaran. Ia juga mempunyai penyekatan arus songsang sebenar dan perlindungan sambungan terbalik, yang menggunakan MOSFET luaran, untuk melindungi IC itu sendiri serta litar hiliran.
IC eFuse baharu ini turut menampilkan fungsi FLAG[3] yang memaklumkan litar luaran tentang keadaan tidak normal, fungsi power-good[4] yang menunjukkan status voltan output, serta fungsi pemantauan arus output. Fungsi pematian terma akan mematikan IC eFuse dengan serta-merta apabila berlaku litar pintas yang tidak dijangka atau penjanaan haba tidak normal, sekali gus melindungi litar hiliran. Kaedah pemulihan daripada keadaan tidak normal boleh ditukar antara dua mod operasi: cuba semula automatik, yang membolehkan IC eFuse pulih secara automatik; dan latch-off, yang mencetuskan pemulihan melalui isyarat luaran.
Toshiba akan terus membangunkan IC eFuse yang meningkatkan keselamatan dan kebolehpercayaan dalam perlindungan talian kuasa, serta memperluas barisan produknya untuk memenuhi pelbagai keperluan.
| Nota: |
| [1] Sebagai IC eFuse berkadar 80V, berdasarkan tinjauan Toshiba pada Ogos 2026. |
| [2] Seperti fius tiub kaca dan fius arus cip. |
| [3] Fungsi FLAG: Fungsi yang mengeluarkan isyarat untuk memaklumkan litar luaran apabila keadaan tidak normal dikesan. |
| [4] Fungsi power-good: Fungsi yang mengeluarkan isyarat untuk memaklumkan litar luaran apabila voltan output mencapai nilai yang ditetapkan. |
| Spesifikasi Utama | ||||
| (Melainkan dinyatakan sebaliknya, Ta =-40 hingga 125°C, 4.7V≤VIN ≤75V, COUT =1μF) | ||||
| Nombor Komponen | TCKE1401NM | |||
| Pakej | Nama | VQFN24D | ||
| Saiz (mm) | 4.0×4.0 (tip.), t=0.9 (maks) | |||
| Kadar maksimum mutlak | Voltan input maksimum | VIN[5] (V) | Ta =25°C | -0.3 hingga 80 |
| VSYS[6] (V) | Ta =25°C | -80 hingga 80 | ||
| Julat operasi | Voltan input VIN (V) | 4.7 hingga 75 | ||
| Suhu simpang operasi Tj_opr (°C) | -40 hingga 125 | |||
| Ciri elektrik | Rintangan hidup R ON (mΩ) | 0.6A≤IOUT ≤6A | Tip. | 44.5 |
| Maks. | 80 | |||
| Had arus ILIM (A) | VIN -VOUT =1V, RILIM =30kΩ, Ta =25°C | Tip. | 0.82 | |
| VIN -VOUT =1V, RILIM =9kΩ, Ta =25°C | Tip. | 2.21 | ||
| VIN -VOUT =1V, RILIM =4.02kΩ, Ta =25°C | Tip. | 4.83 | ||
| VIN -VOUT =1V, RILIM =3kΩ, Ta =25°C | Tip. | 6.43 | ||
| Masa tindak balas pemutusan pantas tFASTTRIP (μs) | VIN =48V, 3kΩ≤RILIM ≤6kΩ | Tip. | 3 | |
| Aras pembanding pemutusan pantas IFASTTRIP (A) | Tip. | ILIM ×2.0 | ||
| Masa tindak balas had arus tLIM (μs) | ILIM (tip.)×1.4OUT FASTTRIP, RILIM =3kΩ, Ta =25°C | Tip. | 100 | |
| Semakan Sampel & Ketersediaan | Beli Dalam Talian | |||
| Nota: | ||||
| [5] Voltan input untuk talian kuasa | ||||
| [6] Voltan input kepada litar dalaman IC eFuse | ||||