Siri KIOXIA LD4 Membolehkan Storan Flash Berketumpatan Tinggi dalam Persekitaran Pelayan 1U
 
TOKYO, 12 Okt (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Kioxia Corporation hari ini mengumumkan SSD faktor bentuk E1.L pertamanya yang dibina menggunakan memori flash QLC BiCS FLASH™ generasi 8. Seiring permintaan data yang terus meningkat—termasuk data untuk AI—pusat data hiperskala semakin menggunakan reka bentuk berketumpatan tinggi untuk mencapai kapasiti storan yang lebih besar dalam ruang pelayan yang terhad. Siri KIOXIA LD4 direka untuk pelayan 1U berketumpatan tinggi dan aplikasi storan intensif baca. Pemacu Siri KIOXIA LD4 kini sedang diberikan sebagai sampel^*1 kepada pelanggan terpilih dan akan dipamerkan di 2026 OCP Global Summit, yang berlangsung dari 12 hingga 15 Oktober di San Jose, California.

Ciri utama Siri KIOXIA LD4 termasuk:

· PCIe^® 5.0 (Gen 4 x4)^*2 , mematuhi spesifikasi NVMe™ 2.0e

· Menyokong Open Compute Project (OCP) Datacenter NVMe™ SSD Specification v2.6
· Reka bentuk port tunggal untuk pelayan hiperskala dan kelas pusat data
· Tersedia dalam kapasiti 15.36 TB dan 30.72 TB, dengan seni bina yang telah disahkan membolehkan kapasiti sehingga 122.88 TB
· Dibina menggunakan memori flash QLC BiCS FLASH™ generasi 8

 Nota:

^*1 Sampel ini adalah untuk tujuan pemeriksaan fungsi sahaja dan spesifikasi sampel mungkin berbeza dalam pengeluaran besar-besaran.

^*2 Mematuhi spesifikasi PCIe^Ⓡ 5.0, dengan kelajuan sehingga 16 gigatransfer sesaat (GT/s) x4.

*Kelajuan baca dan tulis mungkin berbeza bergantung pada pelbagai faktor seperti peranti hos, perisian (pemacu, OS dan sebagainya) serta keadaan baca/tulis.

*Takrif kapasiti: Kioxia Corporation mentakrifkan satu terabait (TB) sebagai 1,000,000,000,000 bait. Walau bagaimanapun, sistem pengendalian komputer melaporkan kapasiti storan menggunakan kuasa 2, dengan takrif 1 TB = 2^40 bait = 1,099,511,627,776 bait, dan oleh itu memaparkan kapasiti storan yang lebih rendah. Kapasiti storan tersedia (termasuk contoh pelbagai fail media) akan berbeza berdasarkan saiz fail, pemformatan, tetapan, perisian dan sistem pengendalian, dan/atau aplikasi perisian yang diprapasang atau kandungan media. Kapasiti sebenar selepas pemformatan mungkin berbeza.

NVMe ialah tanda berdaftar atau tidak berdaftar NVM Express, Inc. di Amerika Syarikat dan negara lain.

Tanda OCP dan OPEN COMPUTE PROJECT dimiliki oleh dan digunakan dengan kebenaran Open Compute Project Foundation.

PCI Express dan PCIe ialah tanda dagangan berdaftar PCI-SIG.

Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan lain mungkin merupakan tanda dagangan syarikat pihak ketiga.

Maklumat tentang Kioxia

Kioxia ialah peneraju dunia dalam penyelesaian memori yang berdedikasi kepada pembangunan, pengeluaran dan penjualan memori flash serta pemacu keadaan pepejal (SSD). Pada April 2017, syarikat pendahulunya, Toshiba Memory, dipisahkan daripada Toshiba Corporation, syarikat yang mencipta memori flash NAND pada tahun 1987. Kioxia komited untuk mempertingkat dunia menerusi “memori” dengan menawarkan produk, perkhidmatan dan sistem yang memberikan pilihan kepada pelanggan serta mewujudkan nilai berasaskan memori untuk masyarakat. Teknologi memori flash 3D inovatif Kioxia, BiCS FLASH™, sedang membentuk masa depan storan dalam aplikasi berketumpatan tinggi, termasuk telefon pintar termaju, PC, sistem automotif, pusat data dan sistem AI generatif.

*Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan serta maklumat hubungan, adalah betul pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk pada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada:
https://www.businesswire.com/news/home/20261008680762/en

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Hubungi

Pertanyaan Media:
Kioxia Corporation
Bahagian Pengurusan Promosi
Satoshi Shindo
Tel: +81-3-6478-2404

Sumber: Kioxia Corporation

--BERNAMA