Mencapai Kapasiti Terbesar Dunia 1.5TB dalam satu Pakej Tunggal dengan cip BiCS FLASH™

TOKYO, 28 Jun (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Memory Corporation, pemimpin dunia di dalam penyelesaian memori, hari ini mengumumkan pembangunan memori flash^[2] tiga dimensi [3D] BiCS FLASH™ yang pertama^[1] di dunia dengan struktur sel bertindan. Peranti BiCS FLASH™ terbaharu itu adalah yang pertama untuk menyampaikan teknologi sel 4-bit-per-sel (sel paras empat kali ganda, QLC), memajukan kapasiti menjangkau peranti sel tiga peringkat (TLC) dan memperluaskan sempadan teknologi memori flash.

Memori flash sel pelbagai bit menyimpan data dengan menguruskan bilangan elektron di dalam setiap sel memori secara individu. Mencapai teknologi QLC mencetuskan satu siri cabaran teknikal, memandangkan peningkatan bilangan bit-per-sel oleh satu di dalam kiraan elektron yang sama memerlukan dua kali ketepatan bagi teknologi TLC. Toshiba Memory telah menarik keupayaan reka bentuk litar termaju mereka dan teknologi proses memori flash 3D 64-lapisan yang terkemuka di industri untuk mencipta memori flash QLC 3D.

Prototaip itu mempunyai kapasiti^[3] acuan terbesar di dunia (768 gigabit/ 96 gigabait) dengan proses memori flash 3D 64-lapisan. Penghantaran prototaip kepada vendor alat kawalan SSD dan SSD bagi tujuan penilaian dan pembangunan bermula pada awal Jun.

Memori flash QLC 3D itu juga membolehkan peranti 1.5-terabyte (TB) dengan kerangka bertindan 16 acuan di dalam satu pakej tunggal - kapasiti^[4] terbesar industri. Sampel bagi peranti ini akan dipamerkan pada Sidang Kemuncak Memori Flash 2017 di Santa Clara, California, Amerika Syarikat, dari 7 hingga 10 Ogos.

Toshiba Memory sudah mengeluarkan secara besar-besaran peranti 64-lapisan 256-gigabit (32-gigabyte), dan ketika ia memperluaskan pengeluaran besar-besaran ia akan terus menunjukkan kepimpinan industri dengan memajukan pembangunan teknologi. Berfokuskan pada memenuhi permintaan yang semakin meningkat bagi kepadatan tinggi, penyelesaian memori flash cip bersaiz lebih kecil, peranti QLC yang baharu itu mensasarkan aplikasi seperti SSD perusahaan, SSD pengguna dan kad memori.

Nota:
1. Sumber: Toshiba Memory Corporation, setakat 28 Jun, 2017.
2. Sebuah struktur bertindan sel-sel memori Flash secara menegak pada sebuah substrat silikon untuk merealisasikan penambahbaikan ketumpatan yang ketara ke atas memori Flash NAND planar, di mana sel-sel terbentuk pada substrat silikon.
3. Sumber: Toshiba Memory Corporation, setakat 28 Jun, 2017.
4. Sumber: Toshiba Memory Corporation, setakat 28 Jun, 2017.
 
• Nama syarikat, nama produk, dan nama perkhidmatan yang disebutkan di sini mungkin merupakan tanda dagangan bagi syarikat mereka masing-masing.
 
Galeri Foto/Multimedia Boleh Diperolehi di: http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=51581332&lang=en

Hubungi
Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Bahagian Perancangan Perniagaan
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Memory Corporation

Lihat siaran berita dan multimedia ini secara dalam talian di:
http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en
 
Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

--BERNAMA