TOKYO, 3 Ogos (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Memory Corporation, peneraju dunia di dalam penyelesaian memori, hari ini mengumumkan pelancaran siri BG3, satu barisan baharu bagi pakej tunggal NVM Express^TM (NVMe™) pelanggan SSD yang menggabungkan kecanggihan BiCS FLASH™ 64 lapisan, 3-bit bagi setiap sel (TLC) dan alat kawalan keluaran Toshiba Memory Corporation di dalam pakej tatasusunan grid bola (BGA). Penghantaran sampel kepada pelanggan PC OEM bermula hari ini dalam jumlah yang terhad, dan Toshiba Memory Corporation akan secara beransur-ansur meningkatkan penghantaran bermula dari suku kalendar keempat tahun ini.

Siri BG3 SSD yang baharu itu menggunakan ciri-ciri kerangka PCI EXPRESS® (PCIe®) Gen3 x 2 lorong dan NVMe^TM Semakan 1.2.1. Mereka juga dilengkapi dengan ciri-ciri sebuah Penimbal Memori Hos (HMB)^[1], yang menggunakan memori hos untuk menggantikan DRAM, sekali gus menjimatkan kuasa dan ruang, dan menyokong pemaju bagi peranti padat yang mesti mencapai satu keseimbangan di antara prestasi tinggi dan penggunaan kuasa yang rendah. Selain itu, faedah gabungan bagi ciri-ciri cache SLC, meningkatkan pengurusan flash dan prestasi memori flash ditambah untuk menghasilkan prestasi sehingga 1520MB membaca berurutan dan 840MB menulis berjujukan^[2].

Siri BG3 yang baharu itu boleh didapati di dalam tiga kapasiti, 128GB, 256GB dan 512GB^[3].  Setiap kapasiti dijajarkan dengan faktor bentuk^[4] SSD kelas paling kecil di dalam industri, pakej tunggal 16mm x 20mm x 1.5mm peletakan permukaan M.2 1620^[5] dan modul M.2 2230^[6] yang boleh alih. Siri BG3 itu mempunyai dimensi yang lebih padat berbanding dengan produk generasi terdahulu, dengan model pakej tunggal 128GB dan 256GB yang mematuhi dengan model pakej tunggal 1.35mm yang nipis bagi M.2 1620-S2 dan 512GB yang mematuhi dengan 1.5mm bagi M.2 1620-S3. Ini akan membantu untuk menggalakkan pembangunan bagi reka bentuk baharu untuk peranti mudah alih dan terbenam yang canggih, termasuk komputer peribadi dan tablet mudah alih yang nipis. Selain itu, oleh kerana saiz mereka yang padat dan penggunaan kuasa yang rendah, BG3 SSD boleh juga digunakan untuk penyimpanan kuasa dan server-but ruang yang sensitif di dalam pusat data.

Keperluan keselamatan akan ditangani dengan juga menawarkan model pemacu penyulitan diri (SED) yang menyokong TCG Opal Versi 2.01^[7].

Siri BG3 akan dipamerkan di Sidang Kemuncak Memori Flash 2017 di Santa Clara, California, Amerika Syarikat dari 8 hingga 10 Ogos 2017, di Petak # 407.
* PCI EXPRESS dan PCIe adalah tanda dagangan berdaftar bagi PCI-SIG.
* NVMe dan NVM Express adalah tanda dagangan bagi NVM Express, Inc.
* Semua nama syarikat, nama produk, dan nama perkhidmatan lain yang dinyatakan di sini adalah merupakan tanda dagangan bagi syarikat mereka masing-masing.

Nota
[1] Sebuah fungsi yang menggunakan sebahagian daripada DRAM hos bagi tujuan pengurusan flash.
[2] Kaji selidik oleh Toshiba Memory Corporation yang berdasarkan kepada kelajuan membaca dan menulis berurutan bagi unit 128KiB, dengan menggunakan model 512GB di dalam siri BG3 di bawah keadaan ujian Toshiba Memory Corporation. Kelajuan membaca dan menulis mungkin berbeza, bergantung kepada peranti hos, keadaan membaca dan menulis, dan saiz fail. Toshiba Memory Corporation mentakrifkan satu megabait (MB) sebagai 1,000,000 bait dan satu kibibait (KiB) sebagai 2¹⁰bait, atau 1,024 bait. Prestasi membaca dan menulis berurutan yang dinyatakan di sini adalah data rujukan, dan mungkin berbeza dengan data produk BG3 di dalam helaian data.
[3] Definisi kapasiti: Toshiba Memory Corporation mentakrifkan satu gigabait (GB) sebagai 1,000,000,000 bait. Sebuah sistem pengendalian komputer, bagaimanapun, melaporkan kapasiti penyimpanan dengan menggunakan kuasa 2 bagi definisi 1GB = 2³⁰bait = 1,073,741,824 bait, dan oleh itu menunjukkan kapasiti penyimpanan yang kurang. Kapasiti penyimpanan yang ada (termasuk contoh bagi pelbagai fail media) akan berbeza-beza berdasarkan kepada saiz fail, pemformatan, tetapan, perisian dan sistem pengendalian, seperti Sistem Pengendalian Microsoft dan/atau aplikasi perisian prapemasangan, atau kandungan media. Kapasiti diformat yang sebenarnya mungkin berbeza.
[4] Kajian Toshiba Memory Corporation, setakat 3 Ogos 2017.
[5] Faktor bentuk bagi model 128GB dan 256GB adalah M.2 1620-S2, dan faktor bentuk bagi model 512GB adalah M.2 1620-S3.
[6] Faktor bentuk bagi model 128GB dan 256GB adalah M.2 2230-S2, dan faktor bentuk bagi model 512GB adalah M.2 2230-S3.
[7] Ketersediaan bagi barisan model SED mungkin berbeza mengikut wilayah.

Pertanyaan Pelanggan:
Bahagian Pemasaran dan Jualan SSD
Tel: +81-3-3457-3432
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

Maklumat di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat perhubungan, adalah tepat pada tarikh pengumuman itu tetapi adalah tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Galeri Foto/ Multimedia Boleh Diperolehi di: http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=51618439&lang=en

Hubungi
Pertanyaan Media:
Toshiba Memory Corporation
Bahagian Perancangan Strategik Jualan
Koji Takahata, +81-3-3457-3822
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Memory Corporation
 
Lihat siaran berita dan multimedia ini secara dalam talian di:
http://www.businesswire.com/news/home/20170802006627/en  

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

--BERNAMA