TOKYO, 26 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hari ini mengumumkan pembangunan "TaRF10," sebuah proses TarfSOI^TM generasi baharu (RF SOI^[1] termaju Toshiba) yang dioptimumkan untuk amplifier bunyi rendah (LNA) di dalam aplikasi telefon pintar.

Dalam tahun-tahun kebelakangan ini, peningkatan kelajuan bagi komunikasi data mudah alih telah memperluaskan penggunaan suis dan penapis RF di dalam bahagian depan analog bagi peranti mudah alih. Peningkatan yang dicapai di dalam kehilangan isyarat di antara antena dan litar penerima telah menurunkan sensitiviti penerima, dan memberi tumpuan kepada LNA dengan bentuk bunyi rendah^[2] (NF) sebagai satu cara untuk mengimbangi bagi kehilangan isyarat dan meningkatkan integriti bagi isyarat yang diterima.

Toshiba Electronic Devices & Storage telah menggunakan proses TaRF10 mereka yang baharu untuk membangunkan sebuah prototaip LNA dengan bentuk bunyi yang luar biasa iaitu 0.72dB dan satu perolehan^[3] sebanyak 16.9dB pada frekuensi 1.8GHz.

Peranti mudah alih menggunakan banyak suis RF dan LNA di dalam litar penerima, yang menghasilkan satu keperluan untuk mengurangkan saiz litar bagi mengurangkan penggunaan ruang papan. LNA yang sedia ada biasanya menggunakan transistor dwikutub silikon-germanium-karbon (SiGe:C), dan ia adalah sukar untuk menyatukan suis LNA dan RF yang direka dengan proses yang berbeza pada cip yang sama.

Proses TaRF10 yang baharu itu dapat mengintegrasikan LNA, litar kawalan dan suis RF pada satu cip tunggal, kerana ia sangat serasi dengan proses TaRF8 dan TaRF9 bagi suis RF, yang memperoleh ciri-ciri RF yang luar biasa. TaRF9 merealisasikan kehilangan penyisipan yang lebih rendah dan herotan isyarat berbanding dengan TaRF8. Toshiba Electronic Devices & Storage kini merancang untuk membawa ke pasaran LNA dengan suis RF yang bersepadu.

Toshiba Electronic Devices & Storage telah membangunkan IC RF dengan menggunakan anak syarikatnya, Japan Semiconductor Corporation untuk menerapkan teknologi SOI-CMOS terkini, dan dengan mengendalikan kesemua aspek bagi aliran pengeluaran, dari pembangunan teknologi proses RF kepada reka bentuk dan pembuatan, memperoleh pelancaran produk yang pantas.
Untuk memenuhi keperluan pasaran bagi generasi akan datang bagi telefon pintar 5G, syarikat itu akan terus meningkatkan lagi ciri-ciri bagi proses TarfSOI^TM dan membangunkan IC RF dengan teknologi canggih.



Nota:
[1] TarfSOI^TM (RF SOI termaju Toshiba): Proses bahagian depan SOI-CMOS (semikonduktor oksida logam pelengkap-penebat-atas-silikon) Toshiba yang unik
[2] Bentuk bunyi: nisbah bagi nisbah isyarat-ke-bunyi pada output sehingga kepada input. Semakin rendah bentuk bunyi itu, semakin rendah amplifier bunyi sendiri itu dan oleh itu ia adalah lebih baik.
[3] Perolehan: nisbah bagi kuasa output bagi sesebuah amplifier kepada kuasa input di dalam dB
 
* Nama syarikat, nama produk, dan nama perkhidmatan yang dinyatakan di sini adalah tanda dagangan bagi syarikat mereka masing-masing.

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Isyarat Kecil
Tel: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*Maklumat di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat perhubungan, adalah tepat pada tarikh pengumuman itu tetapi adalah tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Maklumat mengenai  Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation menggabungkan kecergasan sebuah syarikat baharu dengan kebijaksanaan pengalaman. Sejak dijual dari Toshiba Corporation untuk menjadi sebuah syarikat baharu pada Julai 2017, kami telah mengambil tempat kami di kalangan syarikat peranti utama yang terkemuka, dan menawarkan penyelesaian yang cemerlang kepada pelanggan dan rakan perniagaan kami di dalam semikonduktor diskret, sistem LSI dan HDD.

Seramai 19,000 orang pekerja kami di seluruh dunia berkongsi satu kesungguhan untuk memaksimumkan nilai produk kami, dan memberi penekanan kepada kerjasama erat dengan pelanggan bagi menggalakkan penciptaan bersama nilai dan pasaran baharu. Kami berharap dapat membina di atas jualan tahunan yang kini melebihi 700 bilion yen (AS$6 bilion) dan untuk menyumbang kepada masa hadapan yang lebih baik untuk orang ramai di mana jua.
Perolehi maklumat lanjut mengenai kami di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

Hubungi
Pertanyaan Media:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Jabatan Pemasaran Digital
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
 
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
 
Lihat siaran berita dan multimedia ini secara dalam talian di:
http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en
 
Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

--BERNAMA