_{Toshiba: MOSFET SiC generasi ke-3 “Siri TWxxxNxxxC” (Grafik: Business Wire)}

 

- Susunan barisan yang meliputi produk 1200V dan 650V -

KAWASAKI, Jepun, 30 Ogos (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah melancarkan peranti kuasa baharu, “siri TWxxxNxxxC,” MOSFET silikon karbida (SiC) generasi ke-3^[¹][²] mereka yang menyampaikan rintangan yang rendah dan mengurangkan kehilangan pensuisan dengan ketara. Sepuluh produk, lima produk 1200V dan lima produk 650V, telah mula dihantar hari ini.

Siaran akhbar ini mempunyai ciri-ciri multimedia. Lihat siaran lengkap di sini:
https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/

Produk baharu itu mengurangkan rintangan pada setiap ruang unit (R_DS(ON)A) dengan sebanyak kira-kira 43%^[³], yang membolehkan cas rintangan pada sumber saliran * pintu saliran (R_DS(ON)*Q_gd), satu indeks penting yang mewakili perhubungan di antara kehilangan pengaliran dan kehilangan pensuisan, akan dikurangkan kira-kira 80%^[⁴]. Ini mengurangkan kehilangan pensuisan sebanyak kira-kira 20%^[⁵], dan menurunkan kedua-dua rintangan dan kehilangan pensuisan. Produk baharu itu menyumbang kepada kecekapan peralatan yang lebih tinggi.

Toshiba akan terus mengembangkan susunan barisan peranti kuasa mereka dan untuk meningkatkan kemudahan pengeluaran mereka, dan menyasarkan untuk merealisasikan sebuah ekonomi bebas karbon dengan menyediakan peranti kuasa berprestasi tinggi yang mudah untuk digunakan.

Nota:
[1] Toshiba telah membangunkan sebuah struktur peranti yang mengurangkan rintangan pada setiap ruang unit (R_DS(ON)A) dengan menggunakan sebuah struktur dengan diod penghalang schottky yang terbina dalam yang dibangunkan untuk MOSFET SiC generasi ke-2, dan juga mengurangkan kapasitans maklumat balas di dalam kawasan JFET.
[2] MOSFET: transistor kesan medan logam-oksida-semikonduktor
[3] Perbandingan bagi MOSFET SiC 1200V yang baharu apabila R_DS(ON)A ditetapkan kepada 1 di dalam MOSFET SiC generasi ke-2. Tinjauan Toshiba.
[4] Perbandingan bagi MOSFET SiC 1200V yang baharu apabila R_DS(ON)*Q_gd  ditetapkan kepada 1 di dalam MOSFET SiC generasi ke-2. Tinjauan Toshiba.
[5] Perbandingan bagi MOSFET SiC 1200V yang baharu dan MOSFET SiC generasi ke-2. Tinjauan Toshiba.
 
Penggunaan
・Menukar bekalan kuasa (pelayan, pusat data, peralatan komunikasi, dsb.)
・Stesen pengecas EV
・Penyongsang fotovoltan
・Bekalan kuasa tanpa gangguan (UPS)
 
Ciri-ciri
・Rintangan rendah bagi setiap ruang unit (R_DS(ON)A)
・ Cas rintangan pada sumber saliran rendah * pintu saliran (R_DS(ON)*Q_gd)
・Voltan hadapan diod rendah: V_DSF = -1.35V (jenis) @ V_GS = -5V
 


Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai produk baharu itu.

Produk 1200
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C

Produk 650
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai MOSFET SiC Toshiba.
Peranti Kuasa SiC
MOSFET SiC

Untuk menyemak ketersediaan bagi produk baharu itu di pengedar dalam talian, sila layari:

Produk 1200

TW015N120C
Beli Dalam Talian

TW030N120C
Beli Dalam Talian

TW045N120C
Beli Dalam Talian

TW060N120C
Beli Dalam Talian

TW140N120C
Beli Dalam Talian

Produk 650V

TW015N65C
Beli Dalam Talian

TW027N65C
Beli Dalam Talian

TW048N65C
Beli Dalam Talian

TW083N65C
Beli Dalam Talian

TW107N65C
Beli Dalam Talian

* Nama syarikat, nama produk, dan nama perkhidmatan adalah merupakan tanda perdagangan bagi syarikat mereka masing-masing.
* Maklumat di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan bagi perkhidmatan dan maklumat perhubungan, adalah yang terkini pada tarikh pengumuman itu, tetapi adalah tertakluk kepada perubahan tanpa pemberitahuan terlebih dahulu.
 
Maklumat mengenai Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, sebuah pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan penyimpanan termaju, menggunakan lebih dari setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan kepada pelanggan dan rakan perniagaan dengan produk semikonduktor diskret, sistem LSI dan HDD yang terunggul.
Seramai 23,000 orang pekerja syarikat itu di seluruh dunia berkongsi satu keazaman untuk memaksimumkan nilai produk, dan menggalakkan kerjasama erat dengan pelanggan dalam penciptaan bersama bagi nilai dan pasaran baharu. Dengan jualan tahunan kini melebihi 850 bilion yen (AS$7.5 bilion), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap dapat membangun dan menyumbang kepada sebuah masa depan yang lebih baik bagi semua orang di mana sahaja.
Dapatkan maklumat lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Lihat versi sumber di  businesswire.com: 
https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/

Hubungi

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media:
Chiaki Nagasawa
Jabatan Pemasaran Digital
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
E-mel: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber : Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

--BERNAMA