^{Toshiba: MOSFET kuasa saluran N 40V automotif dengan pakej baharu yang menyumbangkan kepada pelesapan haba tinggi dan pengurangan saiz kelengkapan automotif. (Grafik: Business Wire)}


KAWASAKI, Jepun, 18 Ogos (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan dua MOSFET kuasa saluran N 40V automotif, “XPJR6604PB” dan “XPJ1R004PB,” yang menggunakan pakej S-TOGL™ (Petunjuk Sayap Camar Rangka Transistor Kecil - Small Transistor Outline Gull-wing Leads) baharu Toshiba dengan cip proses U-MOS IX-H. Jumlah penghantaran bermula pada hari ini.

Aplikasi kritikal keselamatan seperti sistem pemanduan berautonomi memastikan keandalan melalui reka bentuk lewah, dengan hasilnya yang mengintegrasikan lebih banyak peranti dan memerlukan lebih banyak ruang pemasangan berbanding sistem standard. Sehubungan itu, pelaksanaan pengurangan saiz dalam kelengkapan automotif memerlukan MOSFET kuasa yang boleh dipasang pada ketumpatan arus tinggi.

XPJR6604PB dan XPJ1R004PB menggunakan pakej S-TOGL™ baharu Toshiba (7.0mm×8.44mm^[1]) yang menampilkan struktur tanpa sokongan yang menyatukan bahagian penghubung sumber dan petunjuk luaran. Struktur berbilang pin untuk petunjuk sumber mengurangkan rintangan pakej.

Gabungan pakej S-TOGL™ dan proses U-MOS IX-H Toshiba mencapai pengurangan Dalam Rintangan yang ketara sebanyak 11% berbanding produk pakej TO-220SM (W) Toshiba^[2], yang mempunyai ciri rintangan terma yang sama. Pakej baharu itu juga mengurangkan kawasan pemasangan yang diperlukan sebanyak kira-kira 55% berbanding pakej TO-220SM(W). Di samping itu, pengkadaran arus elektrik saliran 200A bagi pakej baharu adalah lebih tinggi daripada pakej DPAK + Toshiba yang bersaiz serupa (6.5mm×9.5mm^[1]), membolehkan aliran arus tinggi. Secara keseluruhan, pakej S-TOGL™ merealisasikan susun atur berketumpatan tinggi dan kompak, mengurangkan saiz kelengkapan automotif dan menyumbangkan kepada pelesapan haba tinggi.

Memandangkan kelengkapan automotif digunakan dalam persekitaran suhu yang melampau, keandalan sambungan pateri pemasangan permukaan menjadi pertimbangan yang kritikal. Pakej S-TOGL™ menggunakan petunjuk sayap camar yang mengurangkan tekanan pemasangan, menambah baik keandalan sambungan pateri.

Seandainya berbilang peranti akan disambungkan secara selari untuk aplikasi yang memerlukan operasi arus lebih tinggi, Toshiba menyokong penghantaran secara berkumpulan^[3] untuk produk baharu, yang mana voltan ambang get digunakan untuk pengumpulan. Ini membolehkan reka bentuk menggunakan kumpulan produk dengan kelainan ciri yang kecil.

Toshiba akan terus mengembangkan barisan produk semikonduktor kuasa dan menyumbangkan kepada merealisasikan keneutralan karbon dengan peranti kuasa berprestasi tinggi yang lebih mesra pengguna.

Aplikasi

• Kelengkapan automatif: penyongsang, geganti semikonduktor, suis beban, pemacu motor dan sebagainya.

Ciri Produk

• Pakej S-TOGL™ baharu: 7.0mm×8.44mm (tipikal)
• Pengkadaran arus elektrik saliran besar:

XPJR6604PB: I_D=200A
XPJ1R004PB: I_D=160A

• Memenuhi syarat AEC-Q101
• IATF 16949/PPAP tersedia^[4]
• Rendah Dalam Rintangan:

XPJR6604PB: R_DS(ON)=0.53mΩ (tipikal) (V_GS=10V)
XPJ1R004PB: R_DS(ON)=0.8mΩ (tipikal) (V_GS=10V)

Catatan:

[1] Saiz pakej tipikal, termasuk petunjuk.
[2] TKR74F04PB ditempatkan dalam pakej TO-220SM (W).
[3] Toshiba boleh menawarkan penghantaran secara berkumpulan, yang mana julat voltan ambang get ialah 0.4V untuk setiap gelendong. Walau bagaimanapun, menentukan kumpulan yang khusus tidak boleh dilakukan. Sila hubungi wakil jualan Toshiba untuk maklumat lanjut.
[4] Sila hubungi wakil jualan Toshiba untuk maklumat lanjut.

Spesifikasi Utama



Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang produk baharu.

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai MOSFET Automotif Toshiba.
MOSFET Automotif

* S-TOGL™ ialah tanda dagangan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.
* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan lain mungkin merupakan tanda dagangan syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat hubungan, adalah yang terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis diberikan terlebih dahulu.

Maklumat Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan termaju, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan kepada pelanggan dan rakan perniagaan semikonduktor diskret, sistem LSI dan produk HDD yang luar biasa.
Tenaga kerja syarikat seramai 21,500 di seluruh dunia berkongsi keazaman untuk memaksimumkan nilai produk dan menggalakkan kerjasama rapat dengan pelanggan dalam penciptaan nilai bersama dan pasaran baharu. Bersama jualan tahunan yang menghampiri 800 bilion yen (AS$6.1 bilion), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap dapat membina dan menyumbang kepada masa depan yang lebih baik untuk orang ramai di mana-mana sahaja.
Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada: https://www.businesswire.com/news/home/53525044/en

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Bahagian untuk Dihubungi

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media:
Chiaki Nagasawa
Jabatan Pemasaran Digital
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
 
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

--BERNAMA